生产12英寸单晶棒的单晶炉功率通常在500-800kW之间。

当然，功率越大，对配电设施要求就越高。

每小时耗电达到恐怖的一千度电，24小时连续运行耗电就高达2.4万度电。

产能方面，现代12英寸单晶炉的产能通常为:

每炉可生产2-4根单晶棒，每根单晶棒长度约1-1.5米，单炉生长周期约1-2天。

所以，月产能约30-60根单晶棒。

不过，郝强设计的单晶炉，每炉最多可生产5根单晶棒，长度方面略有优势，生产效率略快一些，但由于单晶棒达到2米，单炉生产周期就要2.5天。

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所以，单炉月产能最高可达到60根！

注意，这里单根长度是2米，实际是普通800kW效率的1.33倍。

单晶硅棒的两端由于是锥状，要切掉，所以长度越长，浪费率就越低。

因素，郝强设计的单晶炉，晶圆的效率是800kW的1.45倍，成本更低。

当然，设备有档位，功率可以调节。

不同芯片的厚度不一样。

通常来说，标准的12英寸晶圆，最开始加工的时候是775um，后来经过加工，减薄，会薄至150um。

但切割有切割槽，有切割损耗，按照切割片的厚度计算。

保守估计，一米长的12英寸单晶硅棒通常可以切割成约900-950片晶圆。

单炉月产能约为10万片，这是最理想的状态，而且是24小时连续运行。

实际情况，设备要维护，生产需要准备，再算上加工损耗，良品率因素，单炉每月能完成4万片就非常牛比了。

郝强的一期要求是月生产10万片，3台单晶炉就足够了。

其实，单晶炉产能高，晶圆产能并不由单晶炉控制，而是机加工设备的数量。

线切割单晶硅棒太耗费时间，加工研磨晶圆片也是如此。

理论上，要切割10万片，那就需要约60台自动线切割机（24小时工作制，每线切割一片约为20分钟进行计算）。

研磨晶圆片，那更耗费时间。

年产120万片晶圆，生产规模非常大了，如果按照电脑cpu那样芯片，通常能产出约1.6亿枚芯片（假如晶片成品率为49%）。

成品率高的话，2.5亿枚都是可以的。